存储芯片预计Q4再涨50%，闪迪涨10%之后，美光即将涨价20%-30%并暂停报价，寡头涨价其它品牌也不远了。

DRAM：全线涨价，DDR4涨势显著

DRAM市场，尤其是DDR4，涨势非常强劲。

· 涨价幅度：有市场消息称，台系厂商南亚科（Nanya Tech） 第三季合约价环比大涨了70%，第四季预计还可能再涨50%；华邦电（Winbond） 第三季报价也环比提升了60%，第四季有望续涨20%。若与今年第二季度的低谷相比，华邦电的累计涨幅已接近90%。

· 涨价原因：这主要因为三星、SK海力士、美光等国际大厂逐渐停产或大幅削减旧制程的DDR4产能，将资源转向利润更高的DDR5和HBM（高带宽内存）。然而，许多领域如低价智能手机、电视、路由器以及工控和车用市场，对DDR4仍有稳定且大量的需求。供给快速减少，而需求缓步下降，导致供需缺口持续扩大。预计到2026年第四季度，全球DDR4产能可能仅剩2025年第一季度的25%-33%。

NAND：涨价启动，原厂盈利诉求强烈

NAND闪存市场的涨价序幕也已经拉开。

· 闪迪（SanDisk）率先提价：2025年9月4日，闪迪宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。这主要是因为看到AI应用、数据中心、移动领域等对闪存产品的强劲需求，为了支持持续创新投资而进行的价格调整。业界普遍认为，这拉开了NAND新一轮涨价周期的帷幕，其他原厂预计会跟进。

· 原厂盈利压力是推手：此前NAND价格持续下行，导致许多原厂盈利承压甚至出现亏损。例如，闪迪2025年第一季度曾因NAND量价齐跌而经营亏损，第二季度虽扭亏为盈但净利润远不及去年同期。提高NAND产品的利润水平对原厂来说变得非常迫切。

· 国产厂商跟进：有业界消息称，长江存储（YMTC） 也计划在第四季度跟进涨价。这表明国产存储厂商在技术成熟（如232层NAND量产）后，市场话语权在逐渐增强。

闪迪预涨10%之后，美光即将涨价20%-30%，暂停报价

继上周闪迪宣布将存储产品价格上调10%以上之后，今日美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%。

从今日起所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价，预计所有产品停止报价一周。

据悉此次涉及不止消费级和工业级存储产品，汽车电子产品预计涨70%。

据供应链消息美光高层看到客户的FCST需求有重大的供应短缺，所以紧急暂停了所有产品的报价，将重新调整后续的价格。

当前市场价格概况

从近期数据看，存储芯片市场整体价格趋稳但分化明显：

· DRAM内存：价格表现强势。在上述同一时期，18个品类的DRAM现货价格平均上涨0.68%，其中13个料号上涨。TrendForce的数据显示，2025年第二季度DRAM产业营收环比增长17.1%。值得注意的是，DDR4和DDR5内存条之间的价差正在迅速缩小，部分同容量产品的价差已缩小至20%以内。

· NAND闪存：现货价格近期整体趋稳，但内部存在分化。根据甬兴证券的报告，在2025年9月初的一周，22个品类的NAND颗粒现货价格平均涨跌幅为-0.03%。随着原厂将产能加速转向新制程，旧制程的256Gb TLC NAND供应减少，价格有所上扬，而高容量如1Tb QLC/TLC Flash Wafer因供应相对充足，价格甚至出现向下调整。

下面是主要存储芯片类型的近期价格表现对比：

未来预期：2025年第四季度涨势延续

市场分析普遍预计，2025年第四季度存储芯片市场将迎来全面上涨。

· 涨幅预测：综合来看，DRAM（尤其是DDR4）的预期涨幅仍然较高，部分预测称第四季合约价可能环比上涨20%到50%。NAND闪存方面，预计企业级存储价格可能实现个位数涨幅，手机嵌入式存储（eMMC/UFS）价格也会小幅上扬。

· 主要驱动力：

· AI驱动的需求：AI服务器和数据中心建设对高性能存储（如HBM、企业级SSD）的需求持续爆发。美光曾测算，每台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求是普通服务器的3倍。国内互联网巨头（如阿里、百度、腾讯）也在大力增加资本支出投入AI基础设施，拉动存储需求。

· 传统旺季与新品发布：电子业传统旺季到来，手机厂商扎堆发布新机（如iPhone 17系列全面取消128GB版本，起步256GB），催生换机需求和存储容量升级。

· 供给持续紧张：原厂对产能的控制策略未变，DRAM产能持续转向HBM和DDR5，NAND原厂盈利诉求强烈，涨价意愿高涨。

关注重点：HBM与国产存储

· HBM（高带宽内存）：作为AI加速器的核心组件，HBM需求持续旺盛，技术迭代快（如SK海力士已开始开发HBM4），市场前景广阔。SK海力士预计到2030年，定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。

· 国产存储的发展：长江存储等国产原厂在技术突破后，开始积极参与全球市场竞争和价格调整。美光决定停止部分移动NAND产品的开发，也为其他NAND原厂（包括国产厂商）带来了发展机遇。

⚠️ 风险提示

存储芯片市场虽然火热，但也存在一些不确定性：

· 下游终端需求：如果全球经济复苏不及预期，或AI应用落地速度放缓，可能导致实际需求不如当前市场预估的强劲。

· 地缘政治与贸易摩擦：中美贸易摩擦等外部因素可能对全球半导体供应链造成干扰。

· 技术迭代与产能调整：原厂的产能策略和技术路线变化快速，需要密切关注。

总结

当前存储芯片市场，特别是DRAM（以DDR4为代表）正经历显著的涨价周期，主要受供给收缩（产能转向） 和持续稳定需求 的驱动。NAND闪存也在原厂强烈的盈利诉求下开启涨价。AI带来的高性能存储需求 是核心驱动力，HBM 作为关键组件前景看好。第四季度存储芯片价格预计将维持全面上涨的态势。

希望以上信息能帮助你更好地把握存储芯片市场的价格动态。